IPA65R660CFD
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP クールモス CFD2
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
穴を抜ける
商号:
CoolMOS
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-220FP-3
最大動作温度:
+150C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
650ボルト
パッケージ:
トューブ
ID -連続的な下水管の流れ:
6A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
660mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
22 NC
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
IPA65R660CFDは Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,世界の市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
Related Products
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: