IPW65R110CFD
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 クールモス CFD2
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
31.2A
マウントスタイル:
穴を抜ける
商号:
CoolMOS
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
650ボルト
パッケージ:
トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
3.5 V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
99mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
+/- 20ボルト
Qg -ゲート充満:
紀元後118年
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
IPW65R110CFDは Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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