PMGD175XNEX
メーカー:
ネクスペリア
記述:
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
950 mA, 950 mA
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
SOT-363-6
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
30V,30V
パッケージ:
リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
750 mV 750 mV
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
411mOhms, 411mOhms
チャンネル数:
2 チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
12V,12V
Qg -ゲート充満:
1.05 nC, 1.05 nC
製造者:
Nexperia
導入
NexperiaのPMGD175XNEXはMOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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