フィルター
フィルター
記憶力
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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K4G80325FB-HC25 |
写実的な記憶
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サムスン半導体
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M29DW128G70NF6E |
NOR フラッシュ パラレル 128Mbit 16 56/56
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STMマイクロ電子機器
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IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M 3.3V 50ns 1Mx16 EDO DRAM アシンク
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ISSI
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IS43TR16256AL-15HBLI 試験終了いたしました |
DRAM 4G,1.35V,1333Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29CD016J0PQAM113 |
フラッシュ・メモリ
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サイプライス半導体
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IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G,1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS41C16100C-50KLI について |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM アシンク
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBLI 試験終了いたしました |
DRAM 2G,1.5V,1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G,1.5V,1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G,1.5V,1600Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G,1.35V,1600Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29GL128N90FFAR22 |
フラッシュ・メモリ
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サイプライス半導体
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"TGBMFG6C1LBAIL" について |
フラッシュメモリ 8GB NAND EEPROM
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トシバ
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S29GL032N90FFIS30 |
フラッシュ・メモリ32Mb 3V 90nsの平行抜け目がない
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サイプライス半導体
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TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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THGBMHG7C1LBAIL |
フラッシュ・メモリ16GB否定論履積EEPROM w/CQ
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トシバ
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S70FL256P0XMFI001 |
フラッシュ・メモリ256Mの3.0V、104Mhz SPIフラッシュ
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サイプライス半導体
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S25FL116K0XMFI041 |
フラッシュ・メモリ16M、3V、連続抜け目がない108Mhz
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サイプライス半導体
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
フラッシュメモリ 2Mb QSPI 8ピン SOP 150Mil RoHS ET T&R
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ISSI
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IS25LQ032B-JBLE |
フラッシュ・メモリ32M SPI、8ピンSOP 208milと2.3-3.6V
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ISSI
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TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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S29JL032J70TFI220 |
フラッシュ・メモリ32MB抜け目がない3.0V 70nsの平行抜け目がない
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サイプライス半導体
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S34MS04G100BHI000 |
フラッシュ メモリ 4G、1.8V、45ns NAND フラッシュ
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エスペンション / サイプレス
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S34ML01G200BHV000 |
フラッシュ・メモリ否定論履積
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サイプライス半導体
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S34MS01G100BHI000 |
フラッシュメモリ 1G 1.8V 45ns NAND フラッシュ
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エスペンション / サイプレス
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S29GL032N90TFI023 |
フラッシュ・メモリ32MB 2.7-3.6V 90nsの平行抜け目がない
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サイプライス半導体
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR フラッシュ 16Mb QSPI、8 ピン USON 2X3MM、RoHS、T&R
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ISSI
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TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
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トシバ
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IS43TR16256A-125KBLI-TR |
DRAM 4G 1.5V 1600Mhz DDR3
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ISSI
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IS43TR16256A-107MBLI について |
DRAM 4G,1.5V,1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G,1.5V,1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
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ISSI
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IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G,1.8V,DDR2,128Mx16,400Mhz @ CL6,84ボール BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS,IT
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G,1.35V,1600Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM オートモーティブ (Tc: -40〜 +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96ボール BGA (9mm x13mm) RoHS
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ISSI
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IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M 3.3V 50ns 1Mx16 EDO DRAM アシンク
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ISSI
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IS43TR16128BL-125KBL |
DRAM 2G,1.35V,1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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ISSI
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IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16,IT
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ISSI
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MT40A512M16TB-062E:J |
ドラムDDR4 8G 512Mx16 FBGA
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マイクロン技術
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S29GL512P11FFI020 |
フラッシュ・メモリ512Mb 3V 110nsの平行抜け目がない
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サイプライス半導体
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S25FL116K0XMFI011 |
フラッシュ・メモリ16M、3V、連続抜け目がない108Mhz
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サイプライス半導体
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TC58NVG1S3ETA00 |
フラッシュメモリ 1GB 3.3V SLC NAND フラッシュシリアル EEPROM
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トシバ
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TH58NVG4S0FTA20 |
フラッシュ・メモリ3.3V 16Gbit否定論履積EEPROM
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トシバ
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DS2432P+T&R |
EEPROM
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ADI / アナログ・デバイスズ
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