指定
製品カテゴリー:
フラッシュメモリ
マウントスタイル:
SMD/SMT
パッケージ/ケース:
FBGA-153
供給電圧 - マックス:
3.6V
メモリサイズ:
16 GB
パッケージ:
トレー
供給電圧 - Min:
2.7 V
メモリタイプ:
NAND
動作温度範囲:
- + 85 Cへの25 C
製造者:
トシバ
導入
ToshibaのTHGBMHG7C1LBAILは,フラッシュメモリです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたかったり 価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!
Related Products

TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM

"TGBMFG7C1LBAIL"は
Flash Memory 16GB NAND EEPROM

TC58NVG2S3ETA00
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

THGBMDG5D1LBAIL (THGBMDG5D1LBAIL) について
Flash Memory 4GB NAND EEPROM

THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ

TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

"TGBMFG6C1LBAIL" について
Flash Memory 8GB NAND EEPROM

TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM

TH58NVG5S0FTAK0
Flash Memory 32Gb 3.3V IC Flash NAND EEPROM
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
![]() |
"TGBMFG7C1LBAIL"は |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG2S3ETA00 |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
THGBMDG5D1LBAIL (THGBMDG5D1LBAIL) について |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
![]() |
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
"TGBMFG6C1LBAIL" について |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
|
![]() |
TH58NVG5S0FTAK0 |
Flash Memory 32Gb 3.3V IC Flash NAND EEPROM
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: