"THGBMHG9C4LBAIR"と 呼ばれる
メーカー:
トシバ
記述:
フラッシュ・メモリ64GB否定論履積EEPROM w/CQ
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
フラッシュメモリ
マウントスタイル:
SMD/SMT
パッケージ/ケース:
FBGA-153
供給電圧 - マックス:
3.6V
メモリサイズ:
64 GB
パッケージ:
トレー
供給電圧 - Min:
2.7 V
メモリタイプ:
NAND
動作温度範囲:
- + 85 Cへの25 C
製造者:
トシバ
導入
THGBMHG9C4LBAIR,東芝から,フラッシュメモリです. 我々は提供しています グローバル市場で競争力のある価格,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたかったり 価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!
関連製品
TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
"TGBMFG7C1LBAIL"は
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
TC58NVG2S3ETA00
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
THGBMDG5D1LBAIL (THGBMDG5D1LBAIL) について
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
"TGBMFG6C1LBAIL" について
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
|
|
"TGBMFG7C1LBAIL"は |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA00 |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
THGBMDG5D1LBAIL (THGBMDG5D1LBAIL) について |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
"TGBMFG6C1LBAIL" について |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: