K4G80325FB-HC25
メーカー:
サムスン半導体
記述:
写実的な記憶
部門:
半導体
指定
リフレッシュ (ページ):
16K/32ms
覆い:
170FBGA
製品カテゴリー:
メモリIC
容量:
8 GB
構造物:
256M × 32
スピード:
8.0 Gbps
製造者:
サムスンの半導体
導入
K4G80325FB-HC25は,サムスン半導体から,メモリICsです. 我々は,提供する,グローバル市場で競争力のある価格を持っています,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたかったり 価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: