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MTI85W100GC

メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET 3相フルブリッジとトレントMOSFET
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
ID -連続的な下水管の流れ:
120 A
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
ISOPLUS-DIL-17
最大動作温度:
+ 175 C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
100V
テクノロジー:
Si
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
2ボルト
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
3.2のmOhms
チャンネル数:
6チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
15V
Qg -ゲート充満:
88 NC
製造者:
IXYS
導入
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