指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
穴を抜ける
商号:
ハイパーFET
パッケージ/ケース:
TO-247-3
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
600V
パッケージ:
トューブ
ID -連続的な下水管の流れ:
42 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
104のmOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
30V
Qg -ゲート充満:
紀元後190年
製造者:
IXYS
導入
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