IXFK200N10P
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET 200 アムペア 100V 0.0075 Rds
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
200A
マウントスタイル:
穴を抜ける
商号:
ポラー,ハイパーフェット
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-264-3
最大動作温度:
+ 175 C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
100V
パッケージ:
トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
5V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
7.5mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
235 NC
製造者:
IXYS
導入
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