IXFN160N30T
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A この電源は,電源が電源を供給する電源で
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
130 A
マウントスタイル:
シャーシマウント
商号:
GigaMOS
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
SOT-227-4
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
300V
パッケージ:
トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
5V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
19mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
紀元前335年
製造者:
IXYS
導入
IXYSのIXFN160N30Tは,MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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