フィルター
フィルター
分離した半導体
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRLR3410TRL |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IRL7472L1TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 375A
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IRFR5305TRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IRFS7440TRLPBF |
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
STH3N150-2 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
|
STMマイクロ電子機器
|
|
|
|
|
|
STW4N150 |
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
|
STMマイクロ電子機器
|
|
|
|
|
|
IRF7815TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
STW12NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
|
STMマイクロ電子機器
|
|
|
|
|
|
IRF200S234 |
トレンチ_モスフェット
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPW60R037CSFD |
HIGH POWER_NEW について
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
27MHz RF パワーアンプアプリケーション
|
サンヨ
|
|
|
|
|
|
IXFH58N20 |
MOSFET 200V 58A
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
IXFN44N50 |
MOSFET 500V 44A
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
FQA28N50 |
MOSFET 500V NチャネルQFET
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
SPW47N60CFD |
MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 クールモス CFD
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
試験試験試験試験の試験結果 |
MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
FCP11N60 |
MOSFET 600V 11A N-CH
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC モスフェット
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
IXTQ64N25P |
MOSFET 64 アンペア 250V 0.049 Rds
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
IPA50R280CE |
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 クールモス CE
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPW60R045CP |
MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 クールモス CP
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 合格
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
IPD50P04P4L-11 |
MOSFET P CH -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPB120N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 オプティモス-T2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IXFN170N30P |
MOSFET 138 アンペア 300V 0.018 Rds
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
IXTQ52N30P |
MOSFET 52 アンペア 300V 0.066 オーム Rds
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
IPD90N04S4-04 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 オプティモス-T2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
BSS123WQ-7-F |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA 電気回路を表示する
|
ディオード組み込み
|
|
|
|
|
|
試験試験試験の試験結果 |
MOSFET N&P-Chnl 20-V D-S
|
シリコンニックス / ビシャイ
|
|
|
|
|
|
FQPF15P12 |
MOSFET 120V PチャネルQFET
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6.5Amp
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
IPD50N08S4-13 |
MOSFET Nチャネル 75/80V
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPW65R065C7 |
MOSFET高いPOWER_NEW
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
FCD4N60TM |
MOSFET N-CH/600V/7A/スーパーFET
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
FDC2612 |
MOSFET 200V NCh パワートランチ
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
DMP6023LE-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh モード 145W 20Vgs 2569pF
|
ディオード組み込み
|
|
|
|
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 |
MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35モハム @ 4.5V
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
FDC642P |
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
|
フェアチャイルド半導体
|
|
|
|
|
|
SIZF906DT-T1-GE3 |
MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs
|
シリコンニックス / ビシャイ
|
|
|
|
|
|
試験試験試験試験の試験結果 |
MOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
IXFR140N30P |
MOSFET 82 アンペア 300V 0.026 オーム Rds
|
イクシス
|
|
|
|
|
|
SI7228DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
SI7942DP-T1-GE3 |
MOSFET デュアルN-Ch 100V 49mohm @ 10V
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
IPB65R110CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPD50P04P4-13 |
MOSFET P CH -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
SIS413DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
|
ビシャイ半導体
|
|
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 オプティモス-T
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPW60R070C6 |
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 クールモス C6
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
IPW65R041CFD |
MOSFET N CH 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
インフィニオン・テクノロジーズ
|
|
|
|
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 |
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
|
ビシャイ半導体
|
|
|