指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.1A (Ta)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
38nC @ 10V
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量:
4000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
Factory Stock:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1647pF @ 75V
供給者のデバイスパッケージ:
8-SO
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
43mOhm @ 3.1A, 10V
電力損失(最高):
2.5W (Ta)
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 100µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
150V
導入
IRF7815TRPBFは Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,世界の市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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