IXFP4N85X
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
2.5Ohm @ 2A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
247 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X
Supplier Device Package:
TO-220AB (IXFP)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
150W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFP4N85
導入
Nチャネル 850 V 3.5A (Tc) 150W (Tc) 穴を通ってTO-220AB (IXFP)
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