IXTP110N055T2
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
57 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
流出電圧から源電圧 (Vdss):
55ボルト
Vgs (Max):
±20V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3060 pF @ 25 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
Series:
TrenchT2™
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Power Dissipation (Max):
180W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTP110
導入
Nチャネル 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) 穴を通ってTO-220-3
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IXFN36N100 |
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