IXTH11P50
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
130 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4700 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH11
導入
Pチャネル 500 V 11A (Tc) 300W (Tc) トー-247 (IXTH) の穴を通る
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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IXFH26N50Q |
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IXFN36N100 |
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