IXTP1N100P
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
331 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
シリーズ:
ポラール
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
イクシス
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
電力損失（最高）:
50W （Tc）
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
基本製品番号:
IXTP1
導入
Nチャネル 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) トー-220-3の穴を通る
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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IXFH15N80 |
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IXFH26N50Q |
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IXFH13N50 |
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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標準的:
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