IXTA1N100
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 25µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
Package:
Tube
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1000V
Vgs (Max):
±30V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
400 pF @ 25 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
54W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTA1
導入
Nチャネル 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) 表面マウント TO-263AA
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