IXTY1R6N50D2
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
Depletion Mode
Vgs(th) (最大) @ Id:
-
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
23.7 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
-
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
645 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Depletion
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
100W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTY1
導入
Nチャンネル 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) 表面マウント TO-252AA
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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IXFH26N50Q |
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IXFN36N100 |
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