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SCT3120ALGC11

メーカー:
ローム半導体
記述:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 3.33mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
156mOhm @ 6.7A, 18V
FETタイプ:
Nチャンネル
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
パッケージ:
トューブ
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (最大):
+22V、-4V
Product Status:
Active
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
460 pF @ 500ボルト
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Power Dissipation (Max):
103W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3120
導入
Nチャネル 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) トー-247Nの穴を通る
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: