IXFP80N25X3
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 1.5mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
83 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
250 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5430 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X3
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
80A （Tc）
Power Dissipation (Max):
390W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
IXFP80
導入
Nチャネル 250V 80A (Tc) 390W (Tc) 穴を通ってTO-220-3
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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IXFK27N80 |
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IXFH20N80Q |
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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