指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.3V @ 1mA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
15 pF @ 25 V
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
Vgs (最大):
±20V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
供給者のデバイスパッケージ:
SST3
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Mfr:
ROHM 半導体
動作温度:
150°C (TJ)
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、10V
電力損失(最高):
350mW (Ta)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
250mA (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
RK7002
導入
Nチャネル 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) 表面マウント SST3
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