指定
トランジスター極性:
P-Channel
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
パッケージ/ケース:
SO-8
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
- 55V
パッケージ:
リール
ID -連続的な下水管の流れ:
- 3.4 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
105mOhms
チャンネル数:
2 チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
26 NC
製造者:
IR / インフィニオン
導入
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