指定
トランジスター極性:
Nチャンネル,Pチャンネル
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
パッケージ/ケース:
SO-8
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
55ボルト
パッケージ:
リール
ID -連続的な下水管の流れ:
4.7A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
65のmOhms
チャンネル数:
2 チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
24 nC
製造者:
IR / インフィニオン
導入
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