IRF7341TRPBF
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
部門:
半導体
指定
供給者のデバイスパッケージ:
8-SO
製品カテゴリー:
MOSFET
工場用品:
0
最低の量:
4000
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
740pF @ 25V
パッケージ/ケース:
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
部品のステータス:
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4.7A
パッケージ:
テープ&リール (TR)
@ qty:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
2 N-Channel （二重）
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss):
55V
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
36nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4.7A, 10V
パワー - マックス:
2W
Vgs(th) (最大) @ Id:
1V @ 250µA
シリーズ:
HEXFET®
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
IRF7341TRPBF,インフィニオン・テクノロジーズから,MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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