BSS123-7-F
メーカー:
ディオード組み込み
記述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
170mA （Ta）
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
-
製造者:
ディオード組み込み
最低の量:
3000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
60pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
6オム @ 170mA 10V
電力損失（最高）:
300mW （Ta）
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id:
2V @ 1mA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
導入
BSS123-7-Fは Diodes Incorporatedの MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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