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IRFB3006GPBF

メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
195A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
300nC @ 10V
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量:
1000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
8970pF @ 50V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220AB
部品のステータス:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
パッケージ:
トューブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
2.5 mOhm @ 170A, 10V
電力損失(最高):
375W (TC)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
導入
IRFB3006GPBFは Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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標準的:
MOQ: