指定
供給者のデバイスパッケージ:
8-SO
製品カテゴリー:
MOSFET
工場用品:
0
最低の量:
2500
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1640pF @ 20V
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
部品のステータス:
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
6.9A
パッケージ:
テープ&リール (TR)
@ qty:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
2 P-Channel (二重)
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
33.7nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 3A, 10V
パワー - マックス:
1.8W
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.8V @ 250µA
シリーズ:
-
製造者:
ディオード組み込み
導入
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