指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
3.8A (Ta)
@ qty:
0
FETタイプ:
P-Channel
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
5.2nC @ 4.5V
製造者:
ディオード組み込み
最低の量:
3000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
563pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 3.8A, 10V
電力損失(最高):
1.08W (Ta)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.1V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
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