IPG20N06S4L-26
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 オプティモス-T2
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
20A 20A
マウントスタイル:
SMD/SMT
商号:
オプティモス
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TDSON-8
最大動作温度:
+ 175 C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
60V,60V
パッケージ:
リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
1.2V,1.2V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mOhms,21mO
チャンネル数:
2 チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
16V,16V
Qg -ゲート充満:
20nC,20nC
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
IPG20N06S4L-26は Infineon Technologiesの MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
関連製品
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: