DMG1016UDW-7
メーカー:
ディオード組み込み
記述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
部門:
半導体
指定
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-363
製品カテゴリー:
MOSFET
工場用品:
0
最低の量:
3000
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
60.67pF @ 10V
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
部品のステータス:
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
1.07A 845mA
パッケージ:
テープ&リール (TR)
@ qty:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
NおよびP-Channel
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
0.74nC @ 4.5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 600mA,4.5V
パワー - マックス:
330mW
Vgs(th) (最大) @ Id:
1V @ 250µA
シリーズ:
-
製造者:
ディオード組み込み
導入
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