DMP2018LFK-7
メーカー:
ディオード組み込み
記述:
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±12V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
9.2A (Ta)
@ qty:
0
FETタイプ:
P-Channel
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
113nC @ 10V
製造者:
ディオード組み込み
最低の量:
3000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.5V、4.5V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
4748pF @ 10V
供給者のデバイスパッケージ:
U-DFN2523-6
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 3.6A,4.5V
電力損失（最高）:
1W （Ta）
パッケージ/ケース:
6 パワーUDFN
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.2V @ 200μA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
導入
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