指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±12V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
8.7A (Ta), 19A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
11nC @ 4.5V
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量:
4000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、4.5V
Factory Stock:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1019pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ:
6PQFN (2x2)
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
15.5mOhm @ 8.5A,4.5V
電力損失(最高):
2.1W (Ta)
パッケージ/ケース:
6 パワーVDFN
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.1V @ 10µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
IRLHS6342TRPBF,インフィニオン・テクノロジーズから,MOSFETです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品であります.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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