指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
GaN SiC
製品カテゴリー:
RF JFET トランジスタ
マウントスタイル:
SMD/SMT
利益:
11 dB
トランジスタタイプ:
HEMT
出力:
19W
パッケージ/ケース:
QFN-20
最大動作温度:
+225C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
32ボルト
パッケージ:
トレー
ID -連続的な下水管の流れ:
1.3 A
Vgs - ゲート・ソース断熱電圧:
- 2.7 V
Pd - エネルギー分散:
33 W
製造者:
Qorvo
導入
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