TGF3015-SM
メーカー:
Qorvo
記述:
RF JFET トランジスタ.03-3GHz 増幅 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
GaN SiC
製品カテゴリー:
RF JFET トランジスタ
マウントスタイル:
SMD/SMT
利益:
17.1 dB
トランジスタタイプ:
HEMT
Pd - エネルギー分散:
15.3W
パッケージ/ケース:
QFN-EP-16
出力:
11 W
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
32ボルト
パッケージ:
トレー
ID -連続的な下水管の流れ:
557mA
Vgs - ゲート・ソース断熱電圧:
- 2.7 V
製造者:
Qorvo
導入
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