IXBH9N160G
メーカー:
イクシス
記述:
IGBT トランジスタ 9A 1600V
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1600ボルト
パッケージ/ケース:
TO-247AD-3
最大動作温度:
+150C
最高のゲートのエミッターの電圧:
20V
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
4.9 V
製造者:
IXYS
導入
IXYSのIXBH9N160Gは,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: