IXGH30N120B3D1
メーカー:
イクシス
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
100 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
50A
Pd - エネルギー分散:
300W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1.2 kV
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+150C
パッケージ:
トューブ
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.96V
製造者:
IXYS
導入
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