FGA50N100BNTD2
メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
IGBTトランジスタ N-ch / 50A 1000V
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
500 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
50A
Pd - エネルギー分散:
156 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1000V
パッケージ/ケース:
TO-3PN
最大動作温度:
+150C
最高のゲートのエミッターの電圧:
25V
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.5 V
製造者:
フェアチャイルド半導体
導入
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