FGH60N60SMD
メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
IGBT トランジスタ 600V/60A フィールドストップ IGBT バージョン 2
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
400 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
120 A
Pd - エネルギー分散:
600 w
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
600V
パッケージ/ケース:
TO-247
最大動作温度:
+150C
パッケージ:
トューブ
最高のゲートのエミッターの電圧:
20V
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.9V
製造者:
フェアチャイルド半導体
導入
FGH60N60SMD,フェアチャイルド半導体から,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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