FGH25T120SMD
メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
IGBT トランジスタ 1200V, 25A フィールドストップ トレンチ IGBT
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
400 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
50A
Pd - エネルギー分散:
428W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1200V
パッケージ/ケース:
TO-247G03-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+ / - 25V
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.9V
製造者:
フェアチャイルド半導体
導入
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