IXGH50N90B2D1
メーカー:
イクシス
記述:
IGBTトランジスタ 50Amp 900V 2.7 Rds
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
100 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
75 A
Pd - エネルギー分散:
400W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
900ボルト
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+150C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.2 V
製造者:
IXYS
導入
IXYSのIXGH50N90B2D1は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: