IXGA30N120B3
メーカー:
イクシス
記述:
IGBTトランジスタ GenX3 1200V IGBT
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
100 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
SMD/SMT
25 Cの連続的なコレクター流れ:
60 A
Pd - エネルギー分散:
300W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1.2 kV
パッケージ/ケース:
TO-263-3
最大動作温度:
+150C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.96V
製造者:
IXYS
導入
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