指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
400 nA
製品カテゴリー:
IGBTモジュール
25 Cの連続的なコレクター流れ:
450 A
Pd - エネルギー分散:
1600のW
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1200V
パッケージ/ケース:
62のmm
最大動作温度:
+150C
パッケージ:
トレー
構成:
双重
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.1 V
製品:
IGBTのケイ素 モジュール
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
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MOQ: