指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
400 nA
製品カテゴリー:
IGBTモジュール
最低動作温度:
- 40°C
長さ:
106.4mm
25 Cの連続的なコレクター流れ:
370A
設置様式:
シャーシマウント
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1200V
パッケージ/ケース:
62のmm
工場包装の量:
10
最大動作温度:
+ 125 C
高さ:
30.9mm
パッケージ:
トレー
テクノロジー:
Si
Pd 電力消耗:
1950W
構成:
双重
幅:
61.4mm
ゲート/エミッター 最大電圧:
20V
商標:
インフィニオン・テクノロジーズ
Collector-Emitterの飽和電圧:
3.75V
製品:
IGBTのケイ素 モジュール
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
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