2DB1182Q-13
メーカー:
ディオード組み込み
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
PNP
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最大 DC コレクタ電流:
- 3A
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
- 32V
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最大動作温度:
+150C
利益帯域幅プロダクトfT:
110 MHz
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
- 40ボルト
シリーズ:
2DB11
エミッターの基礎電圧VEBO:
- 5ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧:
- 0.8V
製造者:
ディオード組み込み
導入
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