DZT5551-13
メーカー:
ディオード組み込み
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
NPN
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最大 DC コレクタ電流:
600 mA
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
160V
パッケージ/ケース:
SOT-223-4
最大動作温度:
+150C
利益帯域幅プロダクトfT:
300 MHz
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
180V
シリーズ:
DZT5551
エミッターの基礎電圧VEBO:
6ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧:
200 mV
製造者:
ディオード組み込み
導入
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