サムスン半導体
- 導入
- 新製品
導入
サムスン半導体
新製品
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8ビット / 1G x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K4S641632K-UC60 |
64MBのK型SDRAM
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K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 ビット / 2G x 8 ビット NAND フラッシュメモリ
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KLUEG8U1EM-B0B1 |
メモリーIC
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K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA 鉛・ハロゲンなし
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K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM 仕様
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K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NANDフラッシュ
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K4W1G1646E-HC12 |
写実的な記憶
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K4T1G084QF-BCF7 |
1GB F-die DDR2 SDRAM
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb BダイスDDR3 SDRAM Olny x16
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K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K4A8G085WB-BCPB |
8Gb B型 DDR4 SDRAM
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM 仕様
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA 鉛・ハロゲンフリー (RoHS対応)
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-die NANDフラッシュ
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K4G20325FD-FC03 |
写実的な記憶
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K4G41325FE-HC28 |
写実的な記憶
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K4E6E304EE-EGCF |
メモリーIC
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM 仕様
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K4G80325FB-HC25 |
写実的な記憶
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K4S561632H-UC75 |
SDRAM 製品ガイド
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K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 銀行 同期 DRAM LVTTL
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K4T1G164QE-HCF8 |
1GB E-die DDR2 SDRAM
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K9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8ビット / 256M x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K4S561632N-LC75 |
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K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8ビット / 256M x 8ビット NAND フラッシュメモリ
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K9WBG08U1M-PIB0 |
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