フィルター
フィルター
記憶力
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA 鉛・ハロゲンなし
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM 仕様
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NANDフラッシュ
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
写実的な記憶
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1GB F-die DDR2 SDRAM
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4Gb BダイスDDR3 SDRAM Olny x16
|
サムスン半導体
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A:G |
IC DRAM 256M パラレル 54TSOP
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-6A:L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-6A:L |
IC DRAM 128M パラレル 54TSOP
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16HA-125IT:E |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MTFC4GLGDQ-AIT |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP:E |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP (ICフラッシュ 1G パラレル 48TSOP)
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
JS28F256M29EWH |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E |
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-IT:C |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
M29W128GH7AN6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-093:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT421M2M2M2M2M2M3 |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13EF440E |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8PDFN 試聴する
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF740E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75A |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT48LC2M32B2P-6A:J |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M パラレル 54TSOP
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A:J |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP (ICフラッシュ 1G パラレル 48TSOP)
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q16CLSSIG について |
IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIQ |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75E |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
M25P128-VMF6PB |
IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT47H32M16NF-25E:H |
IC DRAM 512M パラレル 84FBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBACAWP-Z:C |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
N25Q256A81ESF40G |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
EDW4032BABG-70-F-D |
IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVSIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEIQ |
IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q80BLUXIG について |
IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16LY-091G:N |
IC DRAM 4G PARALLEL 1GHz 96FBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16HA-125: |
DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT40A256M16GE-075E:B |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V,1Gbit CMOS NAND EEPROM
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
フラッシュメモリ 8Gb 3.3V SLC NAND フラッシュメモリ EEPROM
|
トシバ
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B |
IC Flash 256G パラレル 83MHZ
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
IC フラッシュ RAM 4G PARALLEL 533MHZ
|
マイクロン技術
|
|
|