フィルター
フィルター
集積回路- IC
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BA10393F-E2 |
アナログコンペレーター ダブルコンペレーター
|
ローム半導体
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
LM293DR |
アナログのコンパレーターは差動二倍になる
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
LM339DR2G |
アナログコンパレーター 3-36V Qud コンパレーター 商用テンプ
|
単体
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA について
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
LM219DT |
アナログ比較機 高Spd 双電圧
|
STMマイクロ電子機器
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
アナログのコンパレーターは差動二倍になる
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
LM2903DR2G |
アナログコンパレーター 2-36V ダブル -40〜105°C
|
単体
|
|
|
|
|
|
LM2903TH-13 |
アナログコンパレーター コンパレーター
|
ディオード組み込み
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
NCS2200SQ2T2G |
アナログコンパレーター 0.85-6V シングルCMOSコンパレーター
|
単体
|
|
|
|
|
|
LM2903DMR2G |
アナログコンパレーター 2-36V ダブル -40〜105°C
|
単体
|
|
|
|
|
|
NCV2393DR2G |
アナログコンパレーター 低電源コンパレーター
|
単体
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
アナログ比較機 二重差
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
LM339DR |
アナログコンパレーター クアッド・ディフェリエンシャル
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
MCP65R46T-2402E/CHY |
アナログコンパレーター シングル・オープン・ドレイン・コンパレーター 2.4V Ref
|
マイクロチップ技術
|
|
|
|
|
|
M25P40-VMN6TPB |
IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SO
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
LM2903DR |
アナログコンパレーター 双差インテンプ
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
IS66WVE4M16ALL-70BLI について |
SRAM 64Mb 70ns1.7-1.95v 4M x 16 偽型SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08AFABAWP-IT:B |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
TPS3700DDCR |
アナログコンパレーター ウィンドウコンパレーション
|
テキサス・インストラクション
|
|
|
|
|
|
JS28F128P30BF75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-25E:H |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBABAWP:B |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10BI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV25616BLL-55TI |
SRAM 4Mb 256Kx16 55ns アシンクロ SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M16A2P-75:C |
IC DRAM 512M パラレル 54TSOP
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416BLL-10MI |
SRAM 16M 3.3V 10ns 1M x 16 アシンクロ SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LF51236A-7.5TQLI |
SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns シンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10JLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
NAND128W3A2BN6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
IS66WVH16M8ALL-166B1LI |
SRAM 128Mb 16Mbx8 1.8V 166MHz ハイパーラム
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV2568L-10TL |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TLI-TR |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
25AA02E48T-I/OT |
IC EEPROM 2K SPI 10MHZ SOT23-6
|
マイクロチップ技術
|
|
|
|
|
|
M29W160ET70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC について
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
ウィンボンド電子
|
|
|
|
|
|
IS61LV25616AL-10TI について |
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-25E:C |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-12JL |
SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v アシンクロ SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV1288DBLL-45HLI |
SRAM 1Mb 45ns 128Kx8 アシンクロ SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
JS28F320J3D75 |
IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
PC28F256J3F95A |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA について
|
マイクロン技術
|
|
|
|
|
|
W9812G6KH-6 |
IC DRAM 128M パラレル 54TSOP
|
ウィンボンド電子
|
|
|