SQJB70EP-T1_GE3
記述:
SQJB70EP-T1_GE3 データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ Vishay/Siliconix ストックからの製品詳細はテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SQJB70EP-T1_GE3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SQJB70EP-T1_GE3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SQJB70EP-T1_GE3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ91
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
高さ:
1.267mm
チャンネル数:
2
Turn-off遅れ時間:
13 ns
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
最大交差点温度 (Tj):
175 °C
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
100V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
SQJB70EP-T1_GE3.pdf
Qty:
115 ストック
申請:
携帯電話
インフォテインメント&クラスター
ウェアラブル (非医療用)
権力 の 消耗:
27W
Turn-on遅れ時間:
9 ns
最大動作温度:
175 °C
源の抵抗に流出させなさい:
78 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
11.3 A
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
導入
SQJB70EP-T1_GE3概要\\nSQB70EP-T1_GE3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.SQJB70EP-T1_GE3 高画質の画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますSQJB70EP-T1_GE3は,携帯電話,インフォテインメント&クラスター,ウェアラブル (非医療) で広く使用されています.これはVishay/Siliconixによって製造され,Fans,Tanssionおよび他のディストリビューターによって配布されています.SQJB70EP-T1_GE3は,多くの方法で購入することができますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSQJB70EP-T1_GE3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. だからあなたは自信を持ってファンからSQJB70EP-T1_GE3を注文することができます. 配達について,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて,私たちの顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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